Всего компонентов: 302 186 |
Страница 145 из 303
AC/DC преобразователи открытого типа
AC/DC преобразователи открытого типа
AC-DC, 75Вт, вход 90…264V AC, 47…63Гц /127…370В DC, выход 5В/15A, рег.вых.4.75…5.5, изоляция 3000В AC, открытая плата 222х55х30мм, -20…+70°С
датчик давления / LPS22HBTR
MEMS Датчик абсолютного давления, цифровой выход, 260-1260 кПа
Датчик давления 26-126кПа, HLGA-10
MEMS Датчик абсолютного давления, цифровой выход, 260-1260 mba
2.95×2.95×1.4мм 2.2 uH 20% 1.1 A SMD / LPS3015-222MRC
Катушка постоянной индуктивности 4.7мкГн 1.2A ±20% SMD
MEMS Датчик абсолютного давления, цифровой выход, 260-1200 mba
Датчик абсолютного давления 26-126кПа монтаж на плоскость 10-Pin CCLGA лента нв катушке
ЧИП-индуктивность силовая 10мкГн 20% 1.3А 380мОм
ЧИП-индуктивность экранированная 100кГц 22мкГн ±20%, 1.4A, DCR 152мОм 17Q
ЧИП-индуктивность экранированная 100кГц 22мкГн ±20%, 1.9A, DCR 136.5мОм
Фототранзистор 5.8x4.5мм/NPN/430-1070нм/прозрачный/35°
AC-DC, 100.8Вт, IP67, вход 90…264В AC, 47…63Гц /120…370В DC выход 36В/2.8A, изоляция 3000В AC, в кожухе 190х52х37мм, -25…+70°С
AC-DC, 120Вт, IP67, вход 180…305В AC, 47…63Гц /254…431В DC выход 15В/8A, изоляция 3000В AC, в кожухе 191х63х37.5мм, -25…+70°С
AC-DC, 151.2Вт, IP67, вход 180…305В AC, 47…63Гц /254…431В DC выход 36В/4.2A, изоляция 3000В AC, в кожухе 191х63х37.5мм, -25…+70°С
AC-DC, 153.6Вт, IP67, вход 180…305В AC, 47…63Гц /254…431В DC выход 48В/3.2A, изоляция 3000В AC, в кожухе 191х63х37.5мм, -25…+70°С
AC-DC, 20Вт, IP67, вход 90…264В AC, выход 15В/1.33A, изоляция 3000В AC, в кожухе 118х35х26мм, -30…+70°С
AC-DC, 36Вт, IP67, вход 90…264В AC, выход 15В/2,4А, изоляция 3000В AC, в кожухе 148х40х30мм, -30…+75°С
AC-DC, 35Вт, IP67, вход 90…264В AC, выход 36В/1А,изоляция 3000В AC, в кожухе 148х40х30мм, -30…+75°С
AC-DC, 30Вт, IP67, вход 90…264В AC, выход 5В/6А,изоляция 3000В AC, в кожухе 148х40х30мм, -30…+75°С
AC-DC, 60Вт, IP67, вход 90…264В AC, выход 15В/4А,изоляция 3000В AC, в кожухе 162х42х30мм, -30…+70°С
AC-DC, 60Вт, IP67, вход 90…264В AC, выход 36В/1,67А,изоляция 3000В AC, в кожухе 162х42х30мм, -30…+70°С
световод прямой цилиндрический D2.9мм для SMD светодиода, H=14мм / LPV3-0550FP
Операционный усилитель, 6.2 КГц
Операционный усилитель, 6.2 КГц
Операционный усилитель, 6.2 КГц
LPV521MGX/NOPB SC-70-5 TI микросхема
Микросхема LPV531MKX/NOPB
Компаратор уровень входа/выхода до напряжения питания двухтактный выход
Компаратор уровень входа/выхода до напряжения питания 1.8В
100х350 (25х25) LPW101M2V025VMW/TLS107M350S1A5R25L/LSW101M2VO25 F=10mm Snap-in Jamicon конденсатор электролитический
150х450 (22х50) LP(LPW151M2WN50M) F=10mm Snap-in Jamicon конденсатор электролитический
220х250 (22х30) LP(LPW221M2EN30M) F=10mm Snap-in Jamicon конденсатор электролитический
330х250 (25х25) LP(LPW331M2EO25M) F=10mm Snap-in Jamicon конденсатор электролитический
330х400 (30х45) LP (LPW331M2GP45M) F=10mm Snap-in Jamicon конденсатор электролитический
470х160 (22х35) LP(LPW471M2CN35M ) F=10mm Snap-in Jamicon конденсатор электролитический
680х200 (30х35) LP(LPW681M2DP35M) F=10mmSnap-in Jamicon конденсатор электролитический
820х160 (30х30) LP(LPW821M2CP30M) F=10mm Snap-in Jamicon конденсатор электролитический
820х160 (30х35) LP (LPW821M2CP35M) F=10mm Snap-in Jamicon конденсатор электролитический
1000х50 (13х35) 105С LQ LQ1H108M13035BB F=5mm 10000часов long Life SAMWHA конденсатор электролитический
330х35 (8х20) 105С LQ LQ1V337M08020BB F=5mm 9000часов SAMWHA конденсатор электролитический
0402 270 nH 5% 110 mA / LQG15HHR27J02D
0402 1 nH ± 0,3 nH / LQG15HN1N0S02D
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.4нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 0.1Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
0402 2.7 nH +/-0.3nH 300 mA / LQG15HN2N7S02D
0402 3 nH ± 0,3 nH / LQG15HN3N0S02D
0402 56 nH ±5% / LQG15HN56NJ02J
LQG15HN5N1S02D, SMD индуктивность 5.1 нГн +-0,3 нГн 0402
0402 8.2 nH ±5% 300mA / LQG15HN8N2J02D
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 0.95A 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
0402 22 nH ±5% 350 mA / LQG15HS22NJ02D
0402 27 nH ±5% / LQG15HS27NJ02D
0402 2,2 nH ± 0,3 nH / LQG15HS2N2S02D
0402 33 nH ±5% / LQG15HS33NJ02D
0402 3.0 nH ±0.1 nH 800 mA / LQG15HS3N0B02D
0402 3.3 nH ±0.1 nH 800 mA / LQG15HS3N3B02D
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3,3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Катушка постоянной индуктивности
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 750мА 140мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
0402 47nH ±2% 300mA / LQG15HS47NG02D
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7нГн ±0.2нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 160мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
0402 56 nH 5% 250 mA / LQG15HS56NJ02D
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 7,5нГн 3% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 220нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 120мА 3.77Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Многослойная керамическая индуктивность высокочастотная SMD 0603 270нГн 200 мА
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
0603 22 nH ± 5% / LQG18HN22NJ00D
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 82нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 350мА 850мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HNR10J00D 0603 100nH 5% Murata Чип-индуктивность
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 445мА DCR 0.5Ом 20Q
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 2.2мкГн ±20% 600мА DCR 0.169Ом
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±10% 400мА DCR 0.56Ом
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±10% 650мА DCR 0.24Ом
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1кГц 470мкГн ±10% 80мА DCR 11.8Ом
Чип индуктивность экранированная проволочная 2,2мкГн 5% 80МГц 1000мА 204мОм по постоянному току 1008 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 33мкГн ±10% 160мА, 2,8Ом по постоянному току, 0806 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 4,7мкГн ±20% 300мА, 1,04Ом по постоянному току, 0806 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 68мкГн ±10% 100мА, 8,58Ом по постоянному току, 0806 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 230мА, 1,3Ом по постоянному току, 1206 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 100мкГн ±10% 80мА, 12Ом по постоянному току, 1206 лента на катушке
1206 1 uH 20% 510 mA SMD / LQH31CN1R0M03L
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±10% 160мА, 3Ом по постоянному току, 1206 лента на катушке
LQH31HNR50J03L 1206 0,5uH 5% Murata Чип-индуктивность
1206 100 uH ±10% 45mA / LQH31MN101K03L
LQH31MN3R3K03L 1206 3,3uH 10% Murata Чип-индуктивность
LQH31MN6R8K03L 1206 6,8uH 10% Murata Чип-индуктивность
1210 10 uH ±10% 300 mA / LQH32CN100K23L
LQH32CN1R0M23L, SMD индуктивность 1.0 мкГн 20%1210
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±20% 1000мА, 0,06Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 2,2мкГн ±20% 600мА, 0,13Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32CN470K23L, SMD индуктивность 47 мкГн 10% 1210
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 470мкГн ±10% 60мА, 19Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Катушка постоянной индуктивности 1210 15мкГн ±10% 300мА 0.65Ом 26МГц(SRF)
LQH32MN100K23L 1210 10uH 10% Murata Чип-индуктивность
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 15мкГн ±5% 170мА, 2,2Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 150мкГн ±10% 70мА, 9,3Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN1R0M23L, SMD индуктивность 1 мкГн 20% 1210
Inductor for Low Frequency Circuits 1.2uH ±20%, 425mA
LQH32MN271K23L, SMD индуктивность 270 мкГн 10%1210
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 390мкГн ±10% 50мА, 22Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
1210 3.3 uH ±10% 300 mA / LQH32MN3R3K23L
Чип индуктивность проволочная экранированная 100мкГн ±20% 180мА, 2,7Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная экранированная 100мкГн ±20% 240мА, 0,6Ом по постоянному току, 1212 лента на катушке
1212 1 uH 30% 1650 mA SMD / LQH3NPN1R0NG0L
Чип индуктивность проволочная экранированная 22мкГн ±20% 350мА, 0,6Ом по постоянному току, 1212 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная экранированная 22мкГн ±20% 650мА, 0,612Ом по постоянному току, 1212 лента на катушке
LQH3NPN221MGRL, ЧИП индуктивность
Чип индуктивность проволочная экранированная 47мкГн ±20% 610мА, 0,82Ом по постоянному току, 1212 лента на катушке
Проволочная чип индуктивность 1212 100uH ±5% Ir=260mA 1.908 Ohms
1812 1 uH ±20% 1080mA / LQH43CN1R0M03L
1812 2,2 uH ±20% 900 mA / LQH43CN2R2M03L
LQH43CN471K03L 1812 470uH 10% Murata Чип-индуктивность
1812 10 uH 10% 400 mA / LQH43MN100K03L
LQH43MN151K03L 1812 150uH 10% Murata Чип-индуктивность
1812 220 uH ±10% 110 mA / LQH43MN221K03L
1812 33 uH ±10% 270 mA / LQH43MN330K03L
1812 47 uH ±10% 220 mA / LQH43MN470K03L
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 470мкГн ±5% 80мА, 11,8Ом по постоянному току, 1812 лента на катушке
1812 560 uH ±10% / LQH43MN561K03L
LQH43MN681K03L, SMD индуктивность 680 мкГн 10% 1812
1812 6,8 uH 450mA ±10% / LQH43MN6R8K03L
Чип индуктивность проволочная экранированная 220мкГн ±20% 240мА, 3,48Ом по постоянному току, 1812 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная экранированная 10мкГн ±20% 1170мА, 0,16Ом по постоянному току, 1515 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная экранированная 1мкГн ±30% 2450мА, 0,03Ом по постоянному току, 1515 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная экранированная 2,2мкГн ±20% 2500мА, 0,049Ом по постоянному току, 1515 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная экранированная 4,7мкГн ±20% 1700мА, 0,96Ом по постоянному току, 1515 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 150мкГн 20% 100kHz Ferrite 420мА 1.9Ом по постоянному току 2220 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн 20% 1МГц Ferrite 4A 19мОм по постоянному току 2220 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 2200мкГн 20% 10kHz Ferrite 100мА 21.5Ом по постоянному току 2220 лента на катушке
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 33мкГн 20% 1МГц Ferrite 900мА 320мОм по постоянному току 2220 лента на катушке
2220 3.3 µH ±20% 2.9А / LQH55DN3R3M03L
2220 470 uH 20% 0.24 A SMD / LQH55DN471M03L
LQH55DN681M03L, SMD индуктивность 680 мкГн 20% 2220
LQH55DNR27M03L 2220 270nH 20% Murata Чип-индуктивность
2220 22 uH 20% 1.05 А / LQH5BPN220MT0L
Чип индуктивность проволочная с ферритовым сердечником 1000мкГн ±20% 160мА, 4,9Ом по постоянному току, 2525 лента на катушке
LQH66SN150M03L 2525 15uH 20% Murata Чип-индуктивность
LQH66SN1R0M03L 2525 1uH 20% Murata Чип-индуктивность
LQH66SN220M03L 2525 22uH 20% Murata Чип-индуктивность
LQH66SN3R3M03L 2525 3,3uH 20% Murata Чип-индуктивность
8×8×3.8мм 3,3 uH ±30% 7 mА SMD (экранированная) / LQH88PN3R3N38L
0603 2.2 uH ±20% / LQM18FN2R2M00D
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4.7мкГн ±20% 80мА 0,6Ом по постоянному току
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 1мкГн ±10% 80мА 0,6Ом по постоянному току
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 2,2мкГн ±10% 15мА 1,15Ом по постоянному току
0603 100 nH ±10% 50 mA / LQM18NNR10K00D
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 750мА 0,3Ом по постоянному току
0805 10uH 30% / LQM21DN100N00D
LQM21DN2R2N00D, SMD индуктивность 2.2 мкГн 30% 0805
0805 47uH 30% / LQM21DN470N00L
0805 10 uH ±20% / LQM21FN100M70L
LQM21 0805 LQM21FN100N00 10uH 30% 0,06A Murata Чип-индуктивность
0805 10 uH ±30% 60mA / LQM21FN100N00L
0805 1 uH ±30% / LQM21FN1R0N00D
0805 2.2 uH ±30% 150mA / LQM21FN2R2N00D
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 47мкГн ±30% 7мА 0,6Ом по постоянному току
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±30% 80мА 0,3Ом по постоянному току
LQM21 0805 LQM21NN1R0K10 1uH 10% 0,05A Murata Чип-индуктивность
0805 1 uH ±10% 50 мА / LQM21NN1R0K10D
LQM21NN1R2K10D, SMD индуктивность 1.2 мкГн 10%0805
LQM21 0805 LQM21NN1R5K10 1,5uH 10% 0,05A Murata Чип-индуктивность
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 1,5мкГн ±10% 50мА 0,5Ом по постоянному току
LQM21 0805 LQM21NN2R2K10 2,2uH 10% 0,03A Murata Чип-индуктивность
0805 2.2 uH 10% 30 mA / LQM21NN2R2K10D
LQM21NN4R7K10L 0805 4,7uH 10% Murata Чип-индуктивность
0805 0,1 uH ±10% 250mA / LQM21NNR10K10D
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 220нГн ±10% 250мА 0,38Ом по постоянному току
LQM21NNR27K10D 0805 0,27uH 10% Murata Чип-индуктивность
LQM21NNR47K10D, SMD индуктивность 0.47 мкГн 10% 0805
LQM21NNR68K10D, SMD индуктивность 0.68 мкГн 10% 0805
Катушка постоянной индуктивности 0805 2.2мкГн ±20%
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 800мА 0,288Ом по постоянному току
LQM21PN4R7MGRD 0805 20% 2x1,25mm Murata Чип-индуктивность
LQM2HPN2R2MG0L 1008 2,2uH 20% Murata Чип-индуктивность
1008 4.7uH 20% 1,1A / LQM2HPN4R7MG0L
LQM2HPNR47MG0L, SMD индуктивность 1008 470 нГн +/-20%
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±30% 1400мА 0,107Ом по постоянному току
LQN21A22NJ04, Индуктивность 22нГн 0805
LQN21A68NK04, Индуктивность 68нГн 0805
LQN21AR47K04, Индуктивность 470нГн 0805
0201 15 nH 3% 300 mA / LQP03HQ15NH02D
0201 18 nH 3% 250 mA / LQP03HQ18NH02D
0201 22 nH 3% 250 mA / LQP03HQ22NH02D
0201 22 nH 3% 170 mA / LQP03HQ27NH02D
0201 47 nH 3% 130 mA / LQP03HQ47NH02D
Тонкоплёночная SMD индуктивность 0,5нГн ±0,1нГн 850мА 80мОм по постоянному току
Катушка постоянной индуктивности 0201 3.6нГн 0.1нГн
Тонкоплёночная SMD индуктивность 0,6нГн ±0,1нГн 850мА 70мОм по постоянному току
Катушка постоянной индуктивности 0.7нГн ±0.1нГн 500МГц
Тонкоплёночная SMD индуктивность 15нГн ±3% 250мА 700мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 15нГн ±5% 250мА 700мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 1,2нГн ±0,1нГн 750мА 100мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 1,8нГн ±0,1нГн 600мА 150мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,1нГн 600мА 150мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,4нГн ±0,1нГн 500мА 200мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,7нГн ±0,2нГн 500мА 200мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,9нГн ±0,1нГн 500мА 200мОм по постоянному току
0201 33 nH 5% 120 mA / LQP03TN33NJ02D
Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,1нГн 400мА 300мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,1нГн 400мА 300мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,2нГн 400мА 300мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 4,7нГн ±3% 350мА 400мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 4,7нГн ±5% 350мА 400мОм по постоянному току
Катушка постоянной индуктивности 5.1нГн ±3% 500МГц
Тонкоплёночная SMD индуктивность 68нГн ±3% 100мА 8Ом по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 6,2нГн ±3% 300мА 600мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 6,8нГн ±5% 300мА 600мОм по постоянному току
0201 8.2 nH 3% 250 mA / LQP03TN8N2H02D
LQP11A3N3C00, Индуктивность 3,3нГн 0603
Тонкоплёночная SMD индуктивность 1нГн ±0,1нГн 400мА 100мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 1,5нГн ±0,1нГн 280мА 200мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,4нГн ±0,1нГн 220мА 300мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 3нГн ±0,1нГн 190мА 400мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 4,3нГн ±0,1нГн 160мА 600мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 5,1нГн ±0,1нГн 140мА 700мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,1нГн 130мА 900мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 1.4A 81мОм по постоянному току
LQW15AN10NJ00D 0402 10nH 5% Murata Чип-индуктивность
0402 10 nH ± 5% 500mA / LQW15AN10NJ80
Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 1,4A 81мОм по постоянному току
0402 12 nH 2% 1.24 A / LQW15AN12NG8ZD
0402 12 nH ± 5% 510 mA / LQW15AN12NJ00D
0402 12 nH ± 5% 500 mA / LQW15AN12NJ80
Проволочная SMD индуктивность 14нГн ±2% 1,15A 111мОм по постоянному току
0402 15 nH ±3% 460 mA / LQW15AN15NH00D
Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±2% 1,05A 130мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 1,3нГн ±0,2нГн 3,15A 12мОм по постоянному току
0402 1.5 nH ±0.2 nH 2.1 A / LQW15AN1N5C8ZD
Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±2% 780мА 202мОм по постоянному току
0402 22 nH 3% 310 mA / LQW15AN22NH00D
0402 27 nH ± 2% 280 mA / LQW15AN27NG00D
Проволочная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,1нГн 2,53A 22мОм по постоянному току
0402 2.2 nH ±0.2 nH 2.53 A / LQW15AN2N2C8ZD
Проволочная SMD индуктивность 2,4нГн ±0,1нГн 850мА 50мОм по постоянному току
0402 2.5 nH ±0.2 nH 850 mA / LQW15AN2N5C00D
Проволочная SMD индуктивность 2,9нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току
0402 33 nH ± 5% 620 mA / LQW15AN33NJ80
LQW15AN3N3D10D, SMD индуктивность 0402 3.3 нГн +/-0.5 нГн
0402 3.3nH ±5% / LQW15AN3N3J80
0402 40nH ±5% 250 mA / LQW15AN40NJ00D
Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±5% 250мА 700мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 4,1нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току
0402 4.1 nH ±0.2 nH 750 mA / LQW15AN4N1C00D
Проволочная SMD индуктивность 4,3нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току
0402 4.7 nH ± 0.5 nH 750 mA / LQW15AN4N7D00D
0402 4.7 nH ± 5% / LQW15AN4N7J80
Проволочная SMD индуктивность 51нГн ±2% 210мА 1,08Ом по постоянному току
0402 56 nH ± 5% 310 mA / LQW15AN56NJ00D
Проволочная SMD индуктивность 5,1нГн ±0,2нГн 600мА 120мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,1нГн 1,77A 40мОм по постоянному току
0402 5,6 nH ± 0,5 nH 800mA / LQW15AN5N6D10D
Проволочная SMD индуктивность 5,8нГн ±0,1нГн 700мА 90мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,1нГн 1,6A 56мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,5нГн 700мА 90мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±3% 700мА 90мОм по постоянному току
0402 6.8 nH ±5% 700 mA / LQW15AN6N8J00D
Проволочная SMD индуктивность 72нГн ±5% 135мА 2,1Ом по постоянному току
0402 7,5 nH ± 2% 570mA / LQW15AN7N5G00D
Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±3% 540мА 140мОм по постоянному току
0402 8.7 nH ± 2% 0.54 A / LQW15AN8N7G00D
0402 9.1 nH ±3% 540 mA / LQW15AN9N1H00D
0402 9.4 nH ± 2% 0.54 A / LQW15AN9N4G00D
0603 10 nH ± 2% 800mA / LQW18AN10NG10D
0603 12 nH ±2% 750 mA / LQW18AN12NG10D
0603 12 nH 5% 750 mA SMD / LQW18AN12NJ10D
0603 15 nH ± 2% 600 mA / LQW18AN15NG00D
0603 15 nH 5% 700 mA SMD / LQW18AN15NJ10D
0603 18 nH ± 2% 550 mA / LQW18AN18NG00D
Катушка постоянной индуктивности 0603 18нГн 0.16Ом 550мА ±2%
0603 18 nH 2% 3.5 A / LQW18AN18NG10D
Проволочная SMD индуктивность 18nH ±2% 1400mA 75mOhm DCR
LQW18AN22NJ00D, 0603, 22nH 500mA
0603 27 nH 2% 440 mA SMD / LQW18AN27NG00D
ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.0022мкГн±0.5нГн 100МГц 25Q-Фактор Non Magnetic 1.4A 0.018Ом
0603 39 nH 5% 400 mA SMD / LQW18AN39NG00D
Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току
0603 39 nH 5% 1000 mA SMD / LQW18AN39NJ80D
0603 3.9 nH ±0.2 nH 850 mA / LQW18AN3N9C00D
LQW18AN43NG00D 0603 34nH 2% Murata Чип-индуктивность
0603 43 nH 5% 380 mA SMD / LQW18AN43NJ00D
0603 47 nH 2% 830 mA / LQW18AN47NG8ZD
LQW18AN4N3C00D, Чип индуктивность 4.3нГн 0603
Проволочная SMD индуктивность 4.3нГн ±0.5нГн 850мА 59мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 360мА 350мОм по постоянному току
0603 68 nH 5% 0.63 A SMD / LQW18AN68NG80D
LQW18AN68NJ00D, SMD индуктивность 68 нГн 5% 0603
0603 6.2 nH ±0.5 nH 750 mA SMD / LQW18AN6N2D00D
0603 6.8nH ±0.2 nH 750 mA SMD / LQW18AN6N8C00D
0603 6.8 nH ±0.2 nH 1.9 A / LQW18AN6N8C8ZD
LQW18AN72NJ00D 0603 72nH 5% Murata Чип-индуктивность
0603 7.5 nH ±0.5 nH 750 mA SMD / LQW18AN7N5D00D
0603 8.2 nH ±0.5 nH 650 mA SMD / LQW18AN8N2D00D
LQW18ANR10G00D, SMD индуктивность 100 нГн 2% 0603
Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 220мА 680мОм по постоянному току
0603 100 nH 5% 220 mA SMD / LQW18ANR10J00D
LQW18ANR22G00D 0603 0,22uH 2% Murata Чип-индуктивность
LQW18ANR22J00D 0603 220nH 5% Murata Чип-индуктивность
Катушка постоянной индуктивности 0603 330нГн 5.5Ом 55мА ±2%
0603 330 nH ±2% 190 mA / LQW18ANR33G80D
0805 15 nH 5% 600 mA / LQW2BAS15NJ00L
0805 39 nH ± 5% 500 mA / LQW2BAS39NJ00
Чип инд.0805 39nH/500mA 10%
0805 6,8 nH 5% 600 mA / LQW2BAS6N8J00L
LQW2BHN18NJ03L 0805 0,018uH 5% Murata Чип-индуктивность
LQW2BHN21NK13L 0805 0,021uH 10% Murata Чип-индуктивность
LQW2BHN33NJ03L, SMD индуктивность 0.033 мкГн 5% 0805
LQW2B 0805 LQW2BHN39NJ03 39nH 5% 0,73A Murata Чип-индуктивность
0805 39 nH ± 5% / LQW2BHN39NJ03L
LQW2BHN3N1D13L, SMD индуктивность 0.0031 мкГн 0805
0805 3.3 nH ±0.5 nH 910 mA / LQW2BHN3N3D03L
Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 430мА 260мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±5% 460мА 230мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 630мА 120мОм по постоянному току
LQW2BHNR15J, 150 нГн, 0805, 5%, Индуктивность SMD
Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±5% 390мА 470мОм по постоянному току
LQW2B 0805 LQW2BHNR18J03 180nH 5% 0,25A Murata Чип-индуктивность
LQW2BHNR22J03L 0805 0,22uH 5% Murata Чип-индуктивность
LQW2BHNR27J03L 0805 0,27uH 5% Murata Чип-индуктивность
Светодиод smd 3,1х3,1мм/красный/623нм/36000мкд/прозрачный/80°
Oslon SSL150 Светодиод smd 3,1х3,1мм/красный/623нм/12400-14500мкд@350mA/прозрачный/150°
Светодиод smd 3,2х2,8мм/красный/623нм/3500-9000мкд/прозрачный/120°
Светодиод smd 3,2х2,8мм/красный/625нм/2060-5200мкд/прозрачный/30° с линзой
Резистор металлопленочный 0.25Вт 390Ом ±1%
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Элемент питания алкалиновый C 1.5v BL2
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Резистор металлопленочный 0.6Вт 100Ом ±1%
Резистор металлопленочный 0.6Вт 10кОм ±1%
Резистор металлопленочный 0.6Вт 1кОм ±1%
Резистор металлопленочный 0.6Вт 200КОм ±1%
Резистор металлопленочный 0.6Вт 4.7MОм ±1%
Элемент питания алкалиновый D 1.5v BL2
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
0,002 Ом 2512 1% LR250R002FD3W чип-резистор HKR
0,003 Ом 2512 1% LR250R003FD3W чип-резистор HKR
0,004 Ом 2512 1% LR250R004FD3W чип-резистор HKR
LR2904D, SOIC-8 Operational Amplifier ROHS
батарейка 1.5V / LR41 (AG3) (192)
батарейка 1.5V / LR44 ( AG13 ) (A76)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
Батареи щелочные (Zn-MnO2)
LR600240D40R 4-32VDC 40A/120VAC реле Crydom
Регулируемый стабилизатор с низким падением напряжения положительной полярности, 0.01 А
LR8K4-G TO-252 (DPAK) MICROCHIP Стабилизатор напряжения
Регулируемый стабилизатор с низким падением напряжения положительной полярности, 0.02 А
LRA32H2DBBNN, On-Off-On переключатель 8А 250В клеммы 4,8мм
1х50 (5х11) LK(LRK010M1HD11M) F=2mm Jamicon конденсатор электролитический
0,1 Ом 5% 3W 2512 LRP12JTWRR100 Thunder чип-резистор
Сплиттер, 0.005~0.5 GHz, 50 ohms, 1W, SMT / LRPS-2-1J+
LRS-100-12, AC-DC источник питания 100Вт 12В
LRS - серия источников питания в низкопрофильном корпусе для бюджетного
применения.
Преобразователи могут применяться в устройствах промышленной автоматизации и
управления, бытовых устройствах, в различных электромеханических устройствах и
установках.
Особенности: устойчивость к повышенному входному напряжению до 300 В (до 5
секунд) и вибрации до 5G.
AC/DC преобразователи корпусированные
AC/DC преобразователи корпусированные
LRS - серия источников питания в низкопрофильном корпусе для бюджетного
применения.
Преобразователи могут применяться в устройствах промышленной автоматизации и
управления, бытовых устройствах, в различных электромеханических устройствах и
установках.
Особенности: устойчивость к повышенному входному напряжению до 300 В (до 5
секунд) и вибрации до 5G.
AC-DC, 66Вт, вход 85…264В AC, 47…63Гц / 120…370 В DC, выход 3.3В/20A, рег. вых ±10% , изоляция 3750В AC, в кожухе 129х97х30мм, -30…+70°С
AC/DC преобразователи корпусированные
AC/DC преобразователи корпусированные
AC/DC преобразователи корпусированные
Преобразователь АC/DC в кожухе 100 Вт выход 12 В/8.5 А
Преобразователь АC/DC в кожухе 100 Вт выход 24 В/4.2 А
Преобразователь АC/DC в кожухе 100 Вт выход 36 В/2.8 А
AC/DC преобразователи корпусированные
AC/DC преобразователи корпусированные
LRS - серия источников питания в низкопрофильном корпусе для бюджетного
применения.
Преобразователи могут применяться в устройствах промышленной автоматизации и
управления, бытовых устройствах, в различных электромеханических устройствах и
установках.
Особенности: устойчивость к повышенному входному напряжению до 300 В (до 5
секунд) и вибрации до 5G.
AC/DC преобразователи корпусированные
AC/DC преобразователи корпусированные
AC/DC преобразователи корпусированные
AC/DC преобразователи корпусированные
AC-DC, 150Вт, вход 85…264В AC, 47…63Гц / 120…370 В DC, выход 12В/12.5A, рег. вых ±10%, изоляция 3750В AC, в кожухе 159х97х30мм, -30…+70°С
AC-DC, 150Вт, вход 85…264В AC, 47…63Гц / 120…370 В DC, выход 15В/10A, рег. вых ±10%, изоляция 3750В AC, в кожухе 159х97х30мм, -30…+70°С
AC-DC, 156Вт, вход 85…264В AC, 47…63Гц / 120…370 В DC, выход 24В/6.5A, рег. вых ±10%, изоляция 3750В AC, в кожухе 159х97х30мм, -30…+70°С
AC-DC, 154.8Вт, вход 85…264В AC, 47…63Гц / 120…370 В DC, выход 36В/4.3A, рег. вых ±10%, изоляция 3750В AC, в кожухе 159х97х30мм, -30…+70°С
AC-DC, 154.8Вт, вход 85…264В AC, 47…63Гц / 120…370 В DC, выход 48В/3.3A, рег. вых ±10%, изоляция 3750В AC, в кожухе 159х97х30мм, -30…+70°С
AC/DC преобразователи корпусированные
AC/DC преобразователи корпусированные
AC-DC, 210Вт, вход 115/230В AC (переключатель), 47…63Гц, выход 15В/14A, рег. вых ±10%, изоляция 3750В AC, в кожухе 215х115х30мм, -25…+70°С
LRS-200-24, AC-DC, 211.2Вт, вход 115/230В AC (переключатель), 47 63Гц, выход 24В/8.8A, рег. вых 10%
LRS - серия источников питания в низкопрофильном корпусе для бюджетного
применения.
Преобразователи могут применяться в устройствах промышленной автоматизации и
управления, бытовых устройствах, в различных электромеханических устройствах и
установках.
Особенности: устойчивость к повышенному входному напряжению до 300 В (до 5
секунд) и вибрации до 5G.
AC/DC преобразователи корпусированные
AC/DC преобразователи корпусированные
AC/DC преобразователи корпусированные
AC/DC преобразователи корпусированные